ENGIS化合物半导体材料研磨机InP GaAs

品牌：engis型号： 

可用于2寸3寸4寸InP　GaAs　GaN 

所属系列：半导体加工设备-减薄抛光设备-研磨机 

操作界面人性化，人机交流非常简易 

使用大粒径研磨液将Wafer快速减薄 

可以精确控制Wafer目标厚度，将Wafer减薄至接近目标厚度时，借助厚度控制夹具Wafer将悬空丌再被研磨，可以双头、单片、多片加工，适合研发、量产，可兼容多尺寸Wafer 

设备的设计理念及特征 

搭载开槽装置的**高精密研磨设备EJW-400IFN　是采用高刚性机体和*自开发的水冷式主 

轴，经常保持一定的定盘温度，并且可以在**低震动状态下高精度旋转。另外，由于采用 

高精度的开槽装置，设备可以经常维持稳定高精度的定盘平坦度进行加工。 

主要规格： 

1-1研磨设备 

设备型号EJW-400IFN 

研磨盘直径外径φ380mm；内径φ140mm 

定盘转速10~350rpm　可调（软起动/停机） 

主电机200V　1.5Kw　3相 

加压方式自重加压 

工件固定方式通过使用陶瓷修正轮用滚轴手臂固定 

主轴部分高刚性水冷主轴 

尺寸940mm×1600mm×1460mmH*含防尘盖高度 

重量1000Kg（NET）